سه شنبه ۰۵ تیر ۰۳

مقاله #998

#998 کد مقاله زمینه: برق و الکترونیک
عنوان انگلیسی:
InGaAs Inversion Layer Mobility and Interface Trap Density from Gated Hall Measurements
تعداد صفحات انگلیسی:
4 صفحه
عنوان فارسی:
تحرک لایه وارونگی InGaAs و چگالی دام رابط از معیارهای هال گیت دار
تعداد صفحات فارسی:
7 صفحه
نوع فایل:
فایل word ترجمه و pdf انگلیسی
قیمت فروش:
50,000 ريال
چکیده فارسی:

چکیده - در این کار، ما از روش هال گیت دار برای اندازه گیری مستقیم چگالی حامل و تحرک الکترون در کانال های وارونگی InGaAs MOSFET استفاده می کنیم. در دمای اتاق، بالاترین تحرک هال  در چگالی الکترون در کانال  مشاهده شده است. مقایسه با مقادیر تحرک برآوردشده از ویژگی های ترانزیستور، نشان دهنده یک برآورد ناچیز از تحرک است که از برآورد زیاد از حد چگالی کانال به دست آمده از اندازه گیری های CV ناشی می شود. وابستگی دمایِ تحرک الکترون شواهدی فراهم می کند مبنی بر این که پراکندگی کولن در چگالی الکترون  غالب است. بر خلاف روش های مبتنی بر ظرفیت که معمولا برای استخراج چگالی دام رابط استفاده می شوند، روش هال گیت دار می تواند سهم شارژهای سریعا به دام افتاده و حامل های آزاد در کانال را جدا کند. این شرایط برآورد قابل اعتماد چگالی دام در رابط  از جمله دام های مرزی را فراهم می کند. نتایج نشان داد حتی رابط های با کیفیت بالا ارائه کننده انتقال با تحرک بالا تقریبا از دام های مرزی سریع بالای باند هدایت رنج می برند. در مقابل با  که در آن اثر دام های مرزی ناچیز است، در حالت چگالی InGaAs ممکن است نیمی از الکترون های کانال به دام افتاده و از انتقال حذف شوند و موجب افزایش انرژی سوئیچینگ و توان تلف شده گردند.

نسخه انگلیسی:
قیمت فروش:
50,000 ريال
پرداخت اینترنتی و دریافت
new order
زمینه مقاله

زمینه مورد نظر:

new order
ورود به سیستم
- فراموشی گذرواژه ؟
محاسبه فوری هزینه ترجمه
شما میتوانید با انتخاب زمینه و زبان ترجمه و وارد نمودن تعداد کلمات متنی که باید ترجمه شود، هزینه و زمان تحویل ترجمه را بدست بیاورید.
زمینه: زبان: تعداد کلمه:
پست الکترونیکی شما :

خبری شد خبرتان خواهیم کرد!

آیا سوالی دارید؟

سوال خود را با ما در میان بگذارید

تماس با پشتیبانی

ورود به سیستم


تماس با پشتیبان