#998 کد مقاله | زمینه: برق و الکترونیک | ||
عنوان انگلیسی: |
InGaAs Inversion Layer Mobility and Interface Trap Density from Gated Hall Measurements |
تعداد صفحات انگلیسی: |
4 صفحه |
عنوان فارسی: |
تحرک لایه وارونگی InGaAs و چگالی دام رابط از معیارهای هال گیت دار |
تعداد صفحات فارسی: |
7 صفحه |
نوع فایل: |
فایل word ترجمه و pdf انگلیسی |
قیمت فروش: |
50,000 ريال |
چکیده فارسی: |
چکیده - در این
کار، ما از روش هال گیت دار برای اندازه گیری مستقیم چگالی حامل و تحرک الکترون در
کانال های وارونگی InGaAs MOSFET استفاده می
کنیم. در دمای اتاق، بالاترین تحرک هال
|
||
نسخه انگلیسی: |
|||
قیمت فروش: |
50,000 ريال |
||
پرداخت اینترنتی و دریافت
|