#550 کد مقاله | زمینه: برق و الکترونیک | ||
عنوان انگلیسی: |
BroadbandluminescenceofCunanoparticlesfabricatedinSiO2 byion implantation |
تعداد صفحات انگلیسی: |
4 صفحه |
عنوان فارسی: |
لومینسانس پهن باند نانوذرات مس ساخته شده در SiO2 توسط کاشت یونی |
تعداد صفحات فارسی: |
11 صفحه |
نوع فایل: |
فایل word ترجمه و pdf انگلیسی |
قیمت فروش: |
50,000 ريال |
چکیده فارسی: |
چکیده در این مطالعه، ما خواص اپتیکی کریستالهای نانوذرات فلزی که توسط کاشت یونهای مسی (Cu) درون کریستالهای منفرد سیلیکا (SiO2) با keV 400 در دوزهای مختلف یونی ساخته شده اند را بررسی می کنیم. کریستال SiO2 با Cu کاشته شده، یک گسیل لومینسانس پهن باند تولید می کند، که محدودهی آن از آبی به زرد است، و دارای یک پیک لومینسانس آبی در nm 546 است. چنین باندهای گسیلی لومینسانس غیر عادی نشان می دهند که کاشت یون می تواند منجر به تجمع نانوذرات مس در ماتریس میزبان شود. روش عنصر مرزی بر اساس مدل سازی یک تجمع نانوذرات مس معین، برای توجیه گسیل لومینسانس پهن باند، استفاده شد. تشکیل نانوذرات مس در SiO2 از طریق دادههای جذب نوری آنها پیش بینی می شود. نتایج تجربی با نتایج حاصل از محاسبات Mie مقایسه شده اند و ما مشاهده می کنیم که دوز بالاتر یون، اندازه بزرگتری از ذرات را تولید می کند. |
||
نسخه انگلیسی: |
|||
قیمت فروش: |
50,000 ريال |
||
پرداخت اینترنتی و دریافت
|