نمونه ترجمه تخصصی مهندسی برق - طراحی ماسفت

نمونه ترجمه تخصصی مهندسی برق - طراحی ماسفت
کد مترجم: 69
کاربر گرامی: متن زیر مربوط به ترجمه یکی از متون تخصصی برق می باشد که توسط مترجم با کد 69 انجام شده است. در صورتی که تمایل دارید تا همین مترجم سفارش ترجمه شما را انجام دهد، می توانید در قسمت ارجاع به مترجم خاص شماره 69 را وارد نمائید.
با تشکر

In this paper, a near-triangular buried-oxide partial silicon-on-insulator (TB-PSOI) lateral double-diffused MOS field-effect transistor is proposed. The electric field and electrostatic potential in this structure are modified by the gradual buried-oxide thickness increase. The modification includes the addition of a new peak in the electric field in comparison to that of the conventional PSOI. To assess the efficiency of the proposed structure, its breakdown voltage is compared with that of conventional PSOI using two-dimensional simulations. A comparative study is performed in terms of silicon-film and buried-oxide
layer thicknesses, drift region and buried-oxide layer lengths, and drift region doping concentrations. The study shows that under the same drain current, the breakdown voltage of TB-PSOI is nearly two times higher than its PSOI counterpart (108%improvement). Simulation results show that the three-stepped oxide layer closely follows the TB-PSOI structure with a breakdown voltage improvement of 96% compared to that of the PSOI structure

در این مقاله، یک ترانزیستور اثر میدان الکتریکی MOS با دیفیوژن دوگانه جانبی با اکسید مدفون شده شبه مثلثی با سیلیکون بر عایق جزئی (PSOI) ارائه میشود. میدان الکتریکی و پتانسیل الکترواستاتیکی در این ساختار توسط افزایش ضخامت تدریجی اکسید مدفون شده اصلاح می شود. این اصلاح شامل اضافه شدن یک پیک جدید به میدان الکتریکی در مقایسه با PSOI رایج است. برای ارزیابی کارایی ساختار ارائه شده، مقایسه ولتاژ شکست آن با PSOI معمولی با استفاده از شبیه سازی های دوبعدی انجام می شود. همچنین عملکرد ساختار در ضخامت های مختلف فیلم سیلیکونی و لایه اکسید مدفون شده، ناحیه دریفت، طول لایه اکسید مدفون شده، و غلظت دوپینگ نواحی دریفت بررسی می شود. این بررسی ها نشان می دهد که تحت جریان درین یکسان، ولتاژ شکست TB_PSOI تقریبا دو برابر ساختار PSOI ساده است (بهبود به میزان  108%(. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که لایه اکسیدی سه پله ای، نتایج بسیار نزدیکی با ساختار TB-PSOI (با بهبود ولتاژ شکست به میزان 96%) در مقایسه با PSOI ساده به دست می دهد.

Link: https://faratarjome.ir/u/news/نمونه-ترجمه-تخصصی-مهندسی-برق---طراحی-ماسفت3.html

دیدگاه کاربران

ارسال دیدگاه

نام و نام خانوادگی :
دیدگاه شما :
کد امنیتی :	کدی که در تصویر میبینید را وارد نمایید
	* فراترجمه هیچگونه مسئولیتی نسبت به دیدگاه های کاربران ندارد و تمامی مطالب ارسالی دیدگاه و نظر شخصی کاربران است.
	ارسال دیدگاه