مقاله #564

چکیده

ما مجتمع سازی یکپارچه از ماسفت­های شبه اسپین (PS-ماسفت) را با استفاده از ماسفت­های سفارشی ساخته شده در محصول ویفر چند پروژه­ای کم هزینه (MPW) و پیوندهای تونل مغناطیسی آزمایشگاهی (MTJs) نشان می­دهیم که بر روی بالاترین فیلم رویینگی[1] از تراشه MPW تشکیل شده­اند. نسبت مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR) از MTJهای ساختگی به شدت وابسته به زبری سطح فیلم رویینگی است. با این وجود، پس از اینکه سطح تراشه بصورت اتمی توسط رسوب SiO₂ بر روی آن و فرایند پالیش پی در پی شیمیایی مکانیکی (CMP) برای سطح، مسطح شد، MTJهای ساخته شده بر روی تراشه دارای نسبت TMR به اندازه کافی بزرگ (> 140٪) و سازگار با کاربرد PS-MOSFET می­باشند. PS-ماسفت­های نهایی مدولاسیون روشنی از جریان خروجی کنترل شونده با پیکربندی مغناطش MTJها نشان می­دهد، و حداکثر نسبت جریان مغناطیسی 90 درصد به دست می­آید. این رفتار جریان مغناطیسی کمی با آنچه توسط شبیه سازی HSPICE پیش بینی شده، سازگار است. این روش مجتمع سازی توسعه یافته با استفاده از یک تراشه CMOS MPW به مجتمع سازی یکپارچه از دستگاه­های / مدارات CMOS و سایر دستگاه­های/ مواد کاربردی مختلف اعمال می­شود، که می­تواند درها را برای کاوش مدارهای ترکیبی کاربردی جدید مبتنی بر CMOS باز کند.