مقاله #393

چکیده

یک FET چندلایه دو گیته با ترکیب MoS₂ با یک گیت پشتی استاندارد و گیت بالایی هم صفحه و غیراستاندارد معرفی شده و مورد تحلیل قرار گرفته است. ویژگی اصلی این قطعه این است که گیت و کانال MoS₂ می‌توانند به صورت مستقیم و روی یک صفحه مشترک، از طریق زیر لایه هدایت‌کننده Si با هم کوپل شوند. فت MoS₂ با گیت هم صفحه عملکرد خوبی را با نسبت روشن-خاموش بسیار بالا (I_ON/OFF) در حدود 1.5*10⁴ نشان می‌دهد، همچنین نوسان زیر آستانه بسیار کوچک (S) در حدود 0.13 V/decade و موبیلیتی اثر میدان (µ) آن نیز برابر 0.69 cm²/Vs می‌باشد. علاوه بر این، مدولاسیون V_th بسیار بزرگ (-0.55~6.4 V) در فت MoS₂ دو گیته حاصل می‌گردد که ناشی از تغییر بایاس گیت هم صفحه می‌باشد که باعث می‌شود قطعه از مود کاهشی به مود افزایشی برود بدون آنکه روی µ و S اثر بگذارد. در چنین فت MoS₂ دو گیته ای، هردوی گیت‌های بالا و پایین می‌توانند از یک دی‌الکتریک مشترک SiO₂ استفاده ‌کنند و آرایش سورس/درین/گیت را می‌توان در یک مرحله انجام داد. دیاگرام باند و نیز تئوری بدنه به‌منظور توضیح مکانیزم عملکرد قطعه پیشنهاد شده است. فت MoS₂ با گیت هم صفحه با عملکرد دو گیته و پروسه ساخت آسانی که دارد، می‌تواند یک مورد مناسب برای کاربردهای سنسوری و نیز نانو الکترونیک‌های مسطح 2 دوبعدی و ارزان‌قیمت باشد.