| #112 کد مقاله | زمینه: برق و الکترونیک | ||
عنوان انگلیسی: |
A partial-SOI LDMOSFET with triangular buried-oxide for breakdown voltage improvement |
تعداد صفحات انگلیسی: |
8 صفحه |
عنوان فارسی: |
طراحی ماسفت LD SOI جزئی با اکسید مدفون شده مثلثی به منظور بهبود ولتاژ شکست |
تعداد صفحات فارسی: |
18 صفحه |
نوع فایل: |
فایل word ترجمه و pdf انگلیسی |
قیمت فروش: |
110,000 ريال |
چکیده فارسی: |
مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی چکیده در این مقاله، یک ترانزیستور اثر میدان الکتریکی MOS با دیفیوژن دوگانه جانبی با اکسید مدفون شده شبه مثلثی با سیلیکون بر عایق جزئی (PSOI) ارائه می شود. میدان الکتریکی و پتانسیل الکترواستاتیکی در این ساختار توسط افزایش ضخامت تدریجی اکسید مدفون شده اصلاح می شود. این اصلاح شامل اضافه شدن یک پیک جدید به میدان الکتریکی در مقایسه با PSOI رایج است. برای ارزیابی کارایی ساختار ارائه شده، مقایسه ولتاژ شکست آن با PSOI معمولی با استفاده از شبیه سازی های دوبعدی انجام می شود. همچنین عملکرد ساختار در ضخامت های مختلف فیلم سیلیکونی و لایه اکسید مدفون شده، ناحیه دریفت، طول لایه اکسید مدفون شده، و غلظت دوپینگ نواحی دریفت بررسی می شود. این بررسی ها نشان می دهد که تحت جریان درین یکسان، ولتاژ شکست TB_PSOI تقریبا دو برابر ساختار PSOI ساده است (بهبود به میزان 108%(. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که لایه اکسیدی سه پله ای، نتایج بسیار نزدیکی با ساختار TB-PSOI (با بهبود ولتاژ شکست به میزان 96%) در مقایسه با PSOI ساده به دست می دهد. |
||
نسخه انگلیسی: |
|||
قیمت فروش: |
110,000 ريال |
||
|
پرداخت اینترنتی و دریافت
|
|||
تمامی کالاها و خدمات این فروشگاه حسب مورد دارای مجوزهای لازم از مراجع مربوطه می باشند و فعالیت های این سایت تابع قوانین و مقررات جمهوری اسلامی ایران است.
خوراک اخبار فراترجمه
ثبت سفارش آنلاین ترجمه